光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System。

光刻機分為無掩模光刻機和有掩模光刻機。無掩模光刻機可分為電子束直寫光刻機、離子束直寫光刻機、激光直寫光刻機。電子束直寫光刻機可以用于高分辨率掩模版以及集成電路原型驗證芯片等的制造，激光直寫光刻機一般是用于小批量特定芯片的制造。有掩模光刻機分為接觸/接近式光刻機和投影式光刻機。接觸式光刻和接近式光刻機出現的時期較早，投影光刻機技術更加先進，圖形比例不需要為1:1，減低了掩膜板制作成本，目前在先進制程中廣泛使用。隨著曝光光源的改進，光刻機工藝技術節(jié)點不斷縮小。