中微半導(dǎo)體發(fā)布科創(chuàng)板IPO申請對第二輪審核問詢函的回復(fù)，進一步補充了備品備件的收入構(gòu)成、ICP與CCP刻蝕設(shè)備的對比及發(fā)展趨勢。我們繼續(xù)強烈推薦半導(dǎo)體設(shè)備板塊，重點推薦北方華創(chuàng)、精測電子、晶盛機電，推薦關(guān)注盛美半導(dǎo)體、長川科技。

在手訂單：2018年刻蝕設(shè)備訂單爆發(fā)。公司首次披露備品備件的收入構(gòu)成，2018年刻蝕設(shè)備用備品備件銷售收入1.71億元，占到備品備件總收入的3/4，MOCVD設(shè)備用備品備件銷售收入僅為0.55億元，占到備品備件總收入的3/4。按集成電路/LED分類（不包括設(shè)備維護收入），2018年中微在集成電路領(lǐng)域的業(yè)務(wù)收入合計7.37億元（刻蝕設(shè)備5.66億元+刻蝕設(shè)備用備品備件1.71億元），集成電路業(yè)務(wù)收入占比45%，在LED領(lǐng)域的業(yè)務(wù)收入8.88億元，LED設(shè)備業(yè)務(wù)收入占比55%.。

CCP與ICP刻蝕設(shè)備的對比：目前銷售收入仍以CCP刻蝕設(shè)備為主。電容性等離子體刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較硬的介質(zhì)材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料；有機掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)。2016-2018年，公司累計銷售刻蝕設(shè)備13.25億元，其中CCP設(shè)備銷售額11.71億元，占比88.4%，ICP設(shè)備銷售額1.54億元，占比11.6%

ICP刻蝕設(shè)備市場正在超過CCP刻蝕設(shè)備市場。由于邏輯器件和存儲器件的結(jié)構(gòu)變化，介質(zhì)刻蝕要刻蝕高精度薄膜，需要用較低能量的等離子體，并在低壓下實現(xiàn)刻蝕均勻。采用電感性等離體刻蝕設(shè)備能實現(xiàn)更好的效果，所以電感性等離體刻蝕設(shè)備越來越廣泛地應(yīng)用于介質(zhì)刻蝕應(yīng)用中。因此，隨著技術(shù)的演變，業(yè)內(nèi)主要采用將刻蝕設(shè)備分為CCP刻蝕設(shè)備和ICP刻蝕設(shè)備的分類方法。目前無法獲取二者保有量占比情況的公開客觀數(shù)據(jù)，但目前的總體趨勢是ICP刻蝕設(shè)備市場正在超過CCP刻蝕設(shè)備市場。

中微刻蝕設(shè)備未來主要研發(fā)方向：

CCP等離子體刻蝕設(shè)備的研發(fā)方向：用于3DNAND和DRAM存儲器刻蝕的CCP刻蝕設(shè)備，特別是用于極高深寬比的應(yīng)用；用于5-3納米及更先進邏輯電路刻蝕的CCP刻蝕設(shè)備。

ICP等離子體刻蝕設(shè)備的研發(fā)方向：用于3DNAND和DRAM存儲器刻蝕的ICP刻蝕設(shè)備；用于5-3納米及更先進邏輯電路刻蝕的ICP刻蝕設(shè)備；用于先進封裝和高端MEMS生產(chǎn)的TSV刻蝕設(shè)備。

投資建議：中微以及安集微電子、上海微電子等擬登陸科創(chuàng)板，增強國產(chǎn)集成電路工藝設(shè)備與材料的資本實力，繼續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備板塊，強烈推薦北方華創(chuàng)、精測電子、晶盛機電，推薦關(guān)注盛美半導(dǎo)體、長川科技。

風(fēng)險因素：中國大陸存儲廠商投產(chǎn)延緩全球存儲芯片周期復(fù)蘇。